Kina SiC Laser Cutting Machine Manufacturers Suppliers Factory - Customized Service

Din professionelle leverandør af siliciumcarbid (SiC) keramisk laserskæremaskine!

YCLaser udvikler og fremstiller laserbearbejdningsmaskiner til siliciumcarbid (SiC) keramik, der dækker præcisionsskæring, konturskæring, boring, ridsning, slidsning, trimning og andre tilpassede bearbejdningsprocesser.

Silicon carbide

SiC Keramisk UV-laserskæremaskine
SiC keramiske UV-laserskæremaskine er designet til præcisionsskæring, boring, ridsning og mikrobearbejdning af siliciumcarbid (SiC) keramiske komponenter.

Se mere
SiC Keramisk QCW laserskæremaskine
SiC Ceramic QCW laserskæremaskine er designet til høj-skæring og boring af siliciumcarbid (SiC) keramiske komponenter med typiske tykkelser fra 0,3 til 6 mm.

Se mere
Solar fotovoltaisk laserboremaskine
Udstyrsintroduktion Maskinen er udstyret med et fiberlasersystem med høj-effekt til præcisionsskæring, boring og opskæring af avanceret keramik. Den er optimeret til ultra-hårde materialer, herunder

Se mere
SiC Power Device Wafer Laser Dicing Machine
Produktbeskrivelse SiC Power Device Wafer Laser Dicing Machine er specielt designet til præcisionssingulation og opdeling af siliciumcarbid (SiC) wafers, krafthalvlederenheder og avancerede keramiske

Se mere

Siliciumcarbid laserskæreløsninger

Materiale:Siliciumcarbid (SiC)
Forarbejdning:Skæring · Boring · Indskæring · Notering · Trimning · Mikrobearbejdning
Laser muligheder:355nm UV · 1060–1080nm QCW Fiber · UV Picosecond
Typisk QCW-tykkelse:Ca.. 0.3–6 mm
Maskintype:Tilpasset industrielt laserbehandlingssystem

*Faktisk behandlingsevne afhænger af SiC-sammensætning, tæthed, tykkelse, geometri, huldiameter, kant-kvalitetskrav og andre procesforhold.

Hvorfor vælge WHYC-laser til SiC-behandling?

Flere SiC-laserløsninger

WHYC Laser giver UV nanosekund, QCW fiber nanosekund og UV picosekund laserkonfigurationer til forskellige SiC-behandlingskrav.

Materiale-specifik procesudvikling

Vi udvikler laserparametre i henhold til det faktiske SiC-materiale i stedet for kun at stole på nominel lasereffekt eller tykkelse.

Tilpasset maskinkonfiguration

Arbejdsområde, laserkraft, optisk system, bevægelsesplatform, synspositionering, automatisering og hjælpesystemer kan konfigureres i henhold til applikationen.

Avanceret keramisk forarbejdningserfaring

Vores lasersystemer er designet til svært-at-bearbejde materialer, herunder SiC, Si₃N₄, AlN, Al₂O₃, ZrO₂ og anden avanceret keramik.

Prøvetest før udstyrsinvestering

Kunder kan levere prøver og tegninger til procesevaluering, før de vælger den endelige maskinkonfiguration.

Integreret udstyrssupport

Fra laser-kildevalg og procesudvikling til maskinfremstilling, test, installation og teknisk support leverer vi en integreret laser-behandlingsløsning.

SiC Laser Processing Muligheder

Behandle	Typisk anvendelse
Præcisionsskæring	Tynde SiC keramiske komponenter
Profilskæring	Komplekse SiC-konturer
Skrivning	Keramisk adskillelse og overfladebehandling
Slotting	Smalle og funktionelle slidser
Stort-hulboring	Strukturelle og funktionelle åbninger
Mikro-hulboring	Fine huller og hularrays
Trimning	Kant- og profilbearbejdning
Ringskæring	Cirkulære SiC-komponenter
Batch blanking	Høj-produktion
Mønsterbehandling	Fine keramiske strukturer

Typiske SiC-laserskæremaskinekonfigurationer

UV-laserbehandlingssystem

Punkt	Specifikation
Udstyr	UV-laserbehandlingssystem
Anvendelse	SiC Keramisk laserskæring og mikrobearbejdning
Laser bølgelængde	355 nm
Laser type	UV nanosekund laser
Laser Power	20W
Laser frekvens	50-200 kHz
Maksimalt behandlingsområde	300 × 300 mm*
Enkelt scanningsfelt	50 × 50 mm
Z-Akserejse	50 mm
Minimum Fokuseret Spot	20μm
Minimum graveringslinjebredde	15μm
Arbejdsbords positioneringsnøjagtighed	±3μm
Arbejdsbord gentagelighed	±2μm
CCD Vision Positioning Nøjagtighed	±3μm
Maksimal scanningshastighed	7000 mm/s
Sugesystem	Ventilatorluftmængde 100m³/h
Køler temperaturområde	18-24 grader
Kølertemperaturnøjagtighed	Mindre end eller lig med 0,2 grader
Strømforsyning	220V, 50Hz
Samlet strømforbrug	5kW
Maskinens dimensioner	1500 × 1400 × 1800 mm
Ca. Maskinvægt	1500 kg
Software	Galvanometer + bevægelsesplatform koordineret kontrol
CAD fil support	Standard DXF
Stor Tegnestøtte	1 GB+
Valgfri laser	UV Picosecond Laser

*Bearbejdningsområdet på 300 × 300 mm opnås gennem koordineret galvanometerscanning og bevægelse-platformsbevægelse. Det enkelte galvanometerfelt er 50 × 50 mm.

QCW laserskæresystem

Punkt	Typisk specifikation
Parameter	Anbefalet rækkevidde
Laser bølgelængde	1060-1080nm
Laserudgangseffekt	150W-1000W
Maks. skæreområde	Mindre end eller lig med 300*400 mm
Skæretykkelse	0,2-10 mm
Materiale	Siliciumcarbid (SiC) Keramik
Laser type	QCW Fiber Nanosekund Laser
Typisk tykkelse	0,3-6 mm
Hovedforarbejdning	Skæring, boring, slidsning, trimning
Stort-hulbehandling	Egnet
Præcision af gentagen positionering af X/Y-aksen	±5um
Behandlingshastighed	0-2000 mm/min
Maksimal distancehastighed	50m/min
Bearbejdningsnøjagtighed	±0,01-0,02 mm
Arbejdsbord præcision	Mindre end eller lig med 0,015 mm
Transmissionstilstand	Importeret lineær motor +0.5um gitterlineal
Hele maskinens kraft (ingen blæser)	Mindre end eller lig med 5KW
Samlet vægt af hele maskinen	(ca.) 1200 kg
Udvendig dimension (længdebreddehøjde)	115015001850 mm
Mikro-hulbehandling	Ikke den primære applikation
Typisk anvendelse	Strukturelle og funktionelle SiC-komponenter
Behandlingstilstand	CNC laserbehandling
Tilpasning	Tilgængelig i henhold til emne- og proceskrav

*Faktisk tykkelsesevne afhænger af SiC-sammensætning, tæthed, geometri, skærebane og påkrævet kantkvalitet.

Anvendelser af siliciumcarbid laserbehandling

Udstyr til fremstilling af halvledere

SiC-keramik er meget udbredt i halvlederfremstillingsudstyr på grund af deres termiske stabilitet, kemiske resistens og dimensionsstabilitet.

Strømelektronik

SiC-keramiske komponenter kan bruges i krævende-energielektronik og høje-temperaturapplikationer.

Fotovoltaisk udstyr

SiC-komponenter bruges i-højtemperatur fotovoltaisk fremstillingsudstyr og ovnsystemer.

Luftfart og Automotive

SiC's høje-temperatur- og slidbestandige-egenskaber gør den velegnet til udvalgte rumfarts- og bilkomponenter.

Industriel keramik

SiC-laserbehandling kan også bruges til industrielle komponenter, der kræver høj hårdhed, termisk modstand og slidstyrke.

Typiske SiC-laserbehandlingsprøver

Boreprøve af siliciumcarbid

Præcis mikro-hul-array med nøjagtig positionering og ensartet hulgeometri.

Reaktions-bundet siliciumcarbidprøve

Præcisionsskæring af reaktions-bundet SiC til komplekse strukturelle komponenter.

Boreprøve af siliciumcarbidrør

Præcis sidevægsboring med rene,-veldefinerede huller.

Siliciumcarbid skæreprøve

Præcis konturskæring med ensartet snit og rene kanter.

Test din SiC, før du investerer

Ikke sikker på, om din SiC-applikation kræver UV-, QCW- eller picosecond-laserbehandling?

Send os din forespørgsel!

Materiale:SiC-kvalitet eller materialespecifikation
Tykkelse:Keramisk tykkelse
Del størrelse:Maksimale emnedimensioner
Tegning:DXF, DWG, PDF eller andet tilgængeligt format
Hul diameter:Hvis der er behov for boring
Forarbejdning:Skæring / Boring / Indskæring / Slidskæring / Trimning
Kvalitet:Dimensionel tolerance og kant-kvalitetskrav
Produktion:Forventet produktionsvolumen

Vores ingeniører vil bruge disse oplysninger til at anbefale en passende laserkilde, optisk system, bevægelsesplatform og behandlingsstrategi.

Send din SiC-prøve til test →

FAQ

Q: Hvilken laser er bedst til at skære siliciumcarbid?

A: Der er ingen enkelt laser, der er bedst til enhver SiC-applikation. 355nm UV-lasere er generelt mere velegnede til tynde SiC, fine strukturer og mikro-huller, mens QCW-fiberlasere er bedre egnet til tykkere SiC, større konturer, større huller og høj-behandling. UV picosekund lasere kan overvejes til applikationer, der kræver finere funktioner eller lavere termisk påvirkning.

Q: Kan en laser skære tyk SiC?

A: Ja. QCW fiberlasersystemer kan konfigureres til tykkere SiC keramisk skæring. Et repræsentativt WHYC Laser QCW-system har et typisk behandlingsområde på ca. 0,3–6 mm. Den teoretiske grænse er 10 mm, hvilket ikke anbefales som en masseproduktionsstandard.

Q: Kan du laserbore SiC?

A: Ja. SiC kan laserbores til montering af huller, positioneringshuller, store funktionelle åbninger, mikro-huller og hularrays. Den passende laser afhænger stærkt af den nødvendige huldiameter, materialetykkelse, billedformat og hulkvalitet.

Sp.: Kan en QCW-laser bore mikro-huller i SiC?

A: QCW-lasersystemer er primært beregnet til større huller og strukturelle åbninger frem for præcise mikro-huller. Til meget små huller og arrays med fine huller er en 355nm UV-laser eller UV-picosecond-laser generelt mere egnet.

Spørgsmål: Er UV-laser bedre end QCW til SiC?

A: Det afhænger af applikationen. UV foretrækkes generelt til tynd SiC, fine strukturer, mikro-huller, smalle spalter og præcisionsbehandling. QCW foretrækkes generelt til tykkere SiC, store konturer, store huller og høj-produktion.

Q: Kan maskinen bearbejde komplekse SiC-konturer?

A: Ja. CNC-styret laserbehandling kan følge tilpassede CAD-geometrier og producere komplekse konturer, slidser, ringe, åbninger og uregelmæssige profiler uden dedikerede mekaniske skærematricer.

Spørgsmål: Kan du teste vores SiC-prøve før køb af udstyr?

A: Ja. Prøvetestning anbefales, fordi SiC-sammensætning, tæthed, tykkelse, geometri og kvalitetskrav kan påvirke forarbejdningsresultaterne betydeligt. Kunder kan levere prøver, tegninger og tekniske krav til evaluering.

Spørgsmål: Kan SiC laserskæremaskinen tilpasses?

A: Ja. Laserkraft, arbejdsområde, optisk system, bevægelsesplatform, synspositionering, automatisering og behandlingsfunktioner kan tilpasses efter applikationen.

Vi er en af de mest professionelle producenter og leverandører af sic laserskæremaskiner i Kina, understøtter også tilpasset service. Vær fri til at købe industriel sic laserskæremaskine til salg her og få tilbud fra vores fabrik. Kontakt os for priskonsultation.